GaN薄膜

簡要描述：氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。

產(chǎn)品分類

相關(guān)文章

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

氮化鎵(GaN)薄膜

產(chǎn)品簡介：

氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。

技術(shù)參數(shù)：

常規(guī)尺寸	dia50.8±1mm x 4um,10-25um. dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型注：可按客戶需求定制特殊堵塞方向和尺寸。
產(chǎn)品定位	C軸<0001>±1°
傳導(dǎo)類型	N型；半絕緣型；P型
電阻率	R<0.05 Ohm-cm；半絕緣型R>10⁶Ohm-cm
位錯密度	<1x10⁸Cm^-2
表面處理(鎵面)	AS Grown
有效值	<1nm
可用表面積	>90%

標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝

產(chǎn)品咨詢

聯(lián)系我們

中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司公司地址：安徽省合肥市蜀山區(qū)科學(xué)院路10號技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng)

掃一掃 更多精彩

微信二維碼

網(wǎng)站二維碼

91午夜久久人人超碰-欧美亚洲国产日韩综合一区-麻花豆传媒剧国产剧在线-亚洲精品小说一区二区三区